路透社：美國正計劃限制中國閃存芯片 三星躺槍 

手機、電腦等硬件設(shè)備都需要用到閃存芯片，2020年，閃存市場的產(chǎn)值突破560億美元，我國進口芯片超過2.4萬億元，7000億用于進口存儲芯片，其中1300億是閃存芯片。近日，路透社報道，美國正考慮限制中國制造128層堆疊以上的NANDFlash閃存芯片，限制對象包括長江存儲，以此限制中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

消息人士透露，如果美國確定采取該項計劃，將對三星、SK海力士的閃存工廠造成影響。據(jù)悉，三星在中國擁有兩家大型的NANDFlash工廠，SK海力士此前收購了英特爾旗下在中國的NANDFlash制造業(yè)務(wù)。還有人表示，美國將禁止向中國出口用于制造128層堆疊以上NANDFlash閃存芯片設(shè)備。

值得一提的是，長江存儲已成功量產(chǎn)128層NANDFlash，正積極研發(fā)232層NANDFlash，或?qū)⒂谀甑琢慨a(chǎn)。美國白宮在去年6月發(fā)布的一份報告中指出，長江存儲的低價戰(zhàn)略將對美國企業(yè)構(gòu)成直接威脅。目前，美國商務(wù)部指控長江存儲向華為暢享20e提供NAND閃存芯片，違反美國的出口禁令。